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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods

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所属单位：晶体材料研究所

发表刊物：CrystEngComm

全部作者：陈秀芳,彭燕,胡小波,徐现刚

第一作者：杨祥龙

论文类型：基础研究

论文编号：5C7E420D9D96411ABAB320919607F80C

卷号：20

期号：43

页面范围：6957

是否译文：否

发表时间：2018-11-21

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