彭燕山东大学主页平台管理系统--中文主页

彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

学术荣誉：

访问量：

最后更新时间：..

当前位置中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Selective-area lateral epitaxial overgrowth of SiC by controlling the supersaturation in sublimation growth

点击次数：

所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：CrystEngComm

全部作者：杨祥龙,陈秀芳,彭燕,胡小波,徐现刚

第一作者：杨祥龙

论文编号：2557E73BC3D44D8EA03DE3BD5B5DA01A

卷号：20

期号：12

页面范围：1705

是否译文：否

发表时间：2018-03-28

上一条： Characterization of Nitrogen-Boron doped 4H-SiC substrates

下一条： Synthesis and characterization of high quality {100} diamond single crystal