彭燕山东大学主页平台管理系统--中文主页

彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

学术荣誉：

访问量：

最后更新时间：..

当前位置中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods

点击次数：

所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：CrystEngComm

全部作者：陈秀芳,胡小波,徐现刚

第一作者：杨祥龙

论文类型：基础研究

论文编号：2018zxsei1205

卷号：22

期号：43

页面范围：6957

是否译文：否

发表时间：2018-12-30

上一条： Surface Morphology of the Interface Junction of CVD Mosaic Single-Crystal Diamond

下一条： 6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究