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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

入职时间:2011-08-16

所属院系: 晶体材料研究院

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Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment

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所属单位:新一代半导体材料研究院

发表刊物:CRYSTENGCOMM

第一作者:彭燕

论文类型:基础研究

论文编号:E3FC00366F23467F925689374D888D93

期号:23

字数:3000

是否译文:

发表时间:2020-10

发布时间:2021-10-09

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