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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：CRYSTENGCOMM

第一作者：彭燕

论文类型：基础研究

论文编号：E3FC00366F23467F925689374D888D93

期号：23

字数：3000

是否译文：否

发表时间：2020-10-12

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