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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment

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所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：CrystEng Comm

第一作者：于金英

论文类型：基础研究

论文编号：C8AAD6E1796B4EB4B2D502DEF34AFBEF

卷号：23

期号：2

页面范围：353

字数：3500

是否译文：否

发表时间：2021-01-14

上一条： Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System