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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

入职时间:2011-08-16

所属院系: 晶体材料研究院

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Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment

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所属单位:晶体材料研究院

发表刊物:CrystEng Comm

第一作者:于金英

论文类型:基础研究

论文编号:C8AAD6E1796B4EB4B2D502DEF34AFBEF

卷号:23

期号:2

页面范围:353

字数:3500

是否译文:

发表时间:2021-01

发布时间:2021-10-20

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