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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

入职时间:2011-08-16

所属院系: 晶体材料研究院

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8 英寸导电型 4H-SiC 单晶的生长

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所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

发表刊物:《人工晶体学报》

第一作者:杨祥龙

论文编号:DFC30C88460144EF84A22A60406A95DA

期号:9-10

字数:2000

是否译文:

发表时间:2022-10

发布时间:2023-05-18

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