性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
入职时间:2011-08-16
所属院系: 晶体材料研究院
手机版
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:晶体材料研究所
专利类型:发明
申请号:2016101146508
发明人数:8
是否职务专利:否
申请日期:2016-03-01
公开日期:2018-07-06
授权日期:2016-03-01
发布时间:2018-12-06
上一条:一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法
下一条:一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法