欢迎访问王天宇课题组
KVS
hCm
KyN
TR4
1uw
mBU
3wr
MUg
TZA
hJM
X5Q
TJw
ypk
wC2
wxx
kGb
y4y
XTv
jaa
rfL
首页
介绍
新闻动态
学术活动
组内动态
研究方向
柔性忆阻器件与类脑芯片
低功耗存算一体器件与逻辑门电路设计
铪基铁电存储器
研究成果
论文发表
专利著作
荣誉奖励
研究团队
导师
课题组成员
招生招聘
联系我们
首页
介绍
新闻动态
学术活动
组内动态
研究方向
柔性忆阻器件与类脑芯片
低功耗存算一体器件与逻辑门电路设计
铪基铁电存储器
研究成果
论文发表
专利著作
荣誉奖励
研究团队
导师
课题组成员
招生招聘
联系我们
研究方向
铪基铁电存储器
发布时间：2025-06-03
点击次数：
次
备注：
新型铁电存储器件产业化发展面临的重要瓶颈是材料及制备工艺与集成电路CMOS工艺不兼容，限制了存储器领域的发展和应用。HfO2薄膜目前广泛应用于 CMOS 晶体管中栅介质材料，厚度可微缩至10 nm以下。面向后摩尔先进纳米节点器件需求，研究纳米存储器的尺寸微缩、可靠性与三维集成技术，在国内集成电路龙头企业流片并开展产业化合作。
上一条：
柔性忆阻器件与类脑芯片
浏览本篇
