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新型铁电存储器件产业化发展面临的重要瓶颈是材料及制备工艺与集成电路CMOS工艺不兼容，限制了存储器领域的发展和应用。HfO2薄膜目前广泛应用于 CMOS 晶体管中栅介质材料，厚度可微缩至10 nm以下。面向后摩尔先进纳米节点器件需求，研究纳米存储器的尺寸微缩、可靠性与三维集成技术，在国内集成电路龙头企业流片并开展产业化合作。
