Efficiency droop in InGaN/GaN-based LEDs with a gradually varying In composition in each InGaN well layer
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Chin. Phys. B
第一作者：屈尚达
论文编号：333F81675FA34B79AE8DCAAE2CC9909C
期号：5
字数：4555
是否译文：否
发表时间：2022-02-01
发表时间：2022-02-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料研究院/微电子学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：xums@sdu.edu.cn
电子邮箱：xums@sdu.edu.cn
Efficiency droop in InGaN/GaN-based LEDs with a gradually varying In composition in each InGaN well layer
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Chin. Phys. B
第一作者：屈尚达
论文编号：333F81675FA34B79AE8DCAAE2CC9909C
期号：5
字数：4555
是否译文：否
发表时间：2022-02-01
发表时间：2022-02-01