一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用
点击次数:
所属单位:新一代半导体材料研究院
专利类型:发明
申请号:202310696789.8
发明人数:8
是否职务专利:否
申请日期:2023-06-13
公开日期:2025-02-11
授权日期:2025-02-11
公开日期:2025-02-11
申请日期:2023-06-13
授权日期:2025-02-11
一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用
点击次数:
所属单位:新一代半导体材料研究院
专利类型:发明
申请号:202310696789.8
发明人数:8
是否职务专利:否
申请日期:2023-06-13
公开日期:2025-02-11
授权日期:2025-02-11
公开日期:2025-02-11
申请日期:2023-06-13
授权日期:2025-02-11