郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
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Two-step growth method of graphene on silicon carbide for Hall effect sensors: decoupling buffer layer formation from graphene growth
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Two-step growth method of graphene on silicon carbide for Hall effect sensors: decoupling buffer layer formation from graphene growth
发表刊物：中国化学会第一届全国表界面科学会议
第一作者：姜晓呈
论文编号：85D2FBA3785F4AC7BA517874DD242EFF
字数：1
是否译文：否
发表时间：2025-05
发布时间：2025-05-24