郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
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研究领域
碳化硅单晶生长及表征；
石墨烯二维材料制备及应用；
晶体生长的有限元算法仿真；
人工智能辅助晶体生长设计；
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- 仲光磊, 张宁, 胡小波, 杨祥龙, 谢雪健, 陈秀芳 and 徐现刚. Suppressing SiC crystal edge decomposition through pore-type crucible. VACUUM, 239, 2026.
- 徐现刚, 刘鹏, 胡小波, 陈秀芳, 杨祥龙 and 谢雪健. Enhancement of edge quality in SiC single crystals via flow field control with multi-zone graphite rings. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 188578, 2026.
- 徐现刚, 赵东升, 王丽焕 and 陈秀芳. Effect of coil movement on the growth of silicon carbide by top-seeded solution growth. Journal Crystal Growth, 128605, 2026.
- 王丽焕 and 张茜莹. Effects of crucible etching and polycrystal deposition in the top-seeded solution growth of SiC single crystal. Journal of crystal growth, 681, 2026.
- 徐现刚, 李庆雨, 仲光磊, 王荣堃, 谢雪健, 杨祥龙 and 陈秀芳. Study on Surface Damage of 12-Inch Silicon Carbide Wafers During Diamond Wire Cutting. 2025 22st China International Forum on Solid State Lighting & 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS), 2026.
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