郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
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研究领域
碳化硅单晶生长及表征；
石墨烯二维材料制备及应用；
晶体生长的有限元算法仿真；
人工智能辅助晶体生长设计；
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- 姜晓呈. Two-step growth method of graphene on silicon carbide for Hall effect sensors: decoupling buffer layer formation from graphene growth. 中国化学会第一届全国表界面科学会议, 2025.
- 姜晓呈. SiC wafer chamfering process research. 2024 21st China International Forum on Solid State Lighting & 2024 10th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS), 2025.
- 王兴龙. Hot-zone design and optimization of resistive heater for SiC single crystal growth. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE Journal, 2024.
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