• E-Mail:
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• Date of Employment:
  2022-06
• School/Department:
  新一代半导体材料研究院
• Education Level:
  With Certificate of Graduation for Doctorate Study
• Business Address:
  半导体研发大楼308
• Gender:
  Male
• Contact Information:
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• Degree:
  Doctoral Degree in Engineering
• Alma Mater:
  山东大学
• Supervisor of Master's Candidates
• Supervisor of Doctorate Candidates

     郁万成，教授，博士生导师，国家海外高层次青年人才，华为浩然学者获得者。1989年出生，2011年与2016年于山东大学分别获得学士学位和博士学位。2016年7月-2019年3月在中国科学院半导体研究所担任助理研究员。2019年4月-2022年3月，在日本名古屋大学担任研究机关研究员。2022年6月入职山东大学担任研究员，2023年9月转为教授至今。

    主要研究方向为碳化硅单晶及相关功能材料，包括气相及液相晶体生长技术、晶体生长的热流场仿真、碳化硅基石墨烯的制备及应用、碳化硅基多孔功能材料的构筑与应用，同时开展人工智能在材料科学领域（AI4S）的应用探索。    

    主持及参与多项国家、省部级、企业横向项目。累积发表学术论文三十余篇，申请及授权发明专利二十余项，参与两本专业书籍的撰写。

    现任《材料导报》青年编委、第二十届全国晶体生长与材料学术会议、第四届先进材料前沿学术会议组织委员会委员。

    每年预计招收博士研究生1名，硕士研究生2-3名；欢迎物理、微电子、材料、信息等方向的同学联系。

    部分论文(Selected publications)： *corresponding author

1.  Xiaocheng Jiang, Yunye Wang, Ting Cheng, Qinghe Wang, Can Liu, Jiaqi Jiang, Bin Gao, Xiucai Sun, Li Sun, Qiang Dong, Kaihui Liu, Wancheng Yu*, Huaying Ren*, Xiufang Chen*, Xiangang Xu. "Stepwise Growth of Graphene on Silicon Carbide: Decoupling Formation Buffer Layer from Graphene Growth" Nano Research， 19(10): 94908882（2026）

2. Jiaqi Jiang, Qiang Dong, Xiaocheng Jiang, Lin Xu, Jianfei Wang, Wancheng Yu*, Huaying Ren*, Shouzhi Wang, Xuejian Xie, Xianglong Yang, Xiufang Chen*, Xiangang Xu，"Self-Supported SiC@graphene Porous Array Electrodes for Ultra-Stable Supercapacitors", Electron, e70060(2026)

3. Peng Liu, Wancheng Yu*, Wenhao Han, Ning Zhang, Xuejian Xie, Xianglong Yang, Xiufang Chen*, Xiaobo Hu, Xiangang Xu, "Enhancement of edge quality in SiC single crystals via flow field control with multi-zone graphite rings", Journal of alloys and compounds, 1068, 188578(2026)

4. Dongsheng Zhao, Wancheng Yu*, Jianfei Wang, Xiying Zhang, Xiufang Chen*, Lihuan Wang, Xiangang Xu, "Effect of coil movement on the growth of silicon carbide by top-seeded solution growth", Journal of Crystal Growth, 686, 128605(2026)

5. Xiying Zhang, Wancheng Yu*, Jianfei Wang, Dongsheng Zhao, Liu Peng, Lihuan Wang, "Effects of crucible etching and polycrystal deposition in the top-seeded solution growth of SiC single crystal", Journal of Crystal Growth, 681, 128530(2026)
   

 课题组新闻

1.  2026.08 郁万成参加第20届全国晶体生长与材料学术会议，担任第一分会“晶体生长理论与AI应用”分会秘书，并做邀请报告

   “4H-SiC多孔阵列及其应用”。硕士生任庆硕做邀请报告“面向历史实验数据的小样本机器学习：以 SiC 热解外延石墨烯层数预测为例”

2. 2026.06 硕士研究生姜嘉琦、博士研究生焦健顺利毕业，就职于半导体相关企业。祝一切顺利！