郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
联系方式：
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Optimization of Thermal Field for Large Scale SiC Growth with Resistance Heating Method
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Optimization of Thermal Field for Large Scale SiC Growth with Resistance Heating Method
发表刊物：2025 22st China International Forum on Solid State Lighting & 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)
第一作者：刘鹏
全部作者：徐现刚,胡小波,王丽焕,陈秀芳
论文编号：65C70326BCAC48D19703F2BB7AEFD9D6
字数：2
是否译文：否
发表时间：2025-11
发布时间：2026-01-15