郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
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Stepwise growth of graphene on silicon carbide: Decoupling formation buffer layer from graphene growth
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Stepwise growth of graphene on silicon carbide: Decoupling formation buffer layer from graphene growth
发表刊物：NANO RESEARCH
第一作者：姜晓呈
全部作者：孙丽,徐现刚,陈秀芳,任华英,董强
论文编号：E7523267C0B14F86BCB2C4B78AAAA8EF
期号：doi.org/10.26599/NR.2026.94908882
字数：9400
是否译文：否
发表时间：2026-05
发布时间：2026-06-03