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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Large-area Uniform Epitaxial Graphene on SiC by Optimizing Temperature Field
发表刊物：Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS)
第一作者：张福生
论文编号：B800B6E8670048DB85936A1F6778471F
字数：2668
是否译文：否
发表时间：2016-10
发布时间：2021-12-09