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  • 张福生 ( 副研究员 )

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  •   副研究员
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Large-area Uniform Epitaxial Graphene on SiC by Optimizing Temperature Field

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所属单位:新一代半导体材料研究院
第一作者:张福生
论文编号:B800B6E8670048DB85936A1F6778471F
字数:2668
是否译文:否
发表时间:2016-10-04

 

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