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一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法 授权号:ZL2019103429844 第一发明人

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Affilication of Author(s):微电子学院

Type of Patent:发明

Application Number:201910342861.0

Number of Inventors:1

Service Invention or Not:no

Publication Date:2021-03-30

Authorization Date:2021-03-30

Pre One:一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 授权号:ZL2019103428324 第一发明人