一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 授权号：ZL2019103428324 第一发明人
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Title:一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 授权号：ZL2019103428324 第一发明人
Institution:海洋研究院
Type of Patent:发明
Application Number:202010639961.2
Number of Inventors:2
Service Invention or Not:No
Publication Date:2021-09-24
Authorization Date:2021-09-24
Release Time:2021-10-01