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Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：IEEE Electron Device Letters

第一作者：王新宇

论文编号：1806576903362662402

字数：3

是否译文：否

发表时间：2024-08-10

下一条：The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode