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所属单位：新一代半导体材料研究院

论文名称：Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode

发表刊物：Results in Physics

第一作者：Wang, Xinyu

论文编号：36B4649A237D476EA6CEB102D291C92E

期号：62 (2024) 107799

页面范围：1

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2024-07

发布时间：2025-05-24