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Impacts of silicon carbide defects on electrical characteristics of SiC devices

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

第一作者：来玲玲

论文编号：D5742555117F4661AA6914F43C395CBC

期号：060701

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2025-02-10

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