点击次数：

所属单位：新一代半导体材料研究院

论文名称：Simulation and fabrication of 4H-SiC SBD with main P-epilayer island termination

发表刊物：MICROELECTRONICS JOURNAL

第一作者：王新宇

论文编号：B553EB6CF2E14F2F938DCAF7AB87DCE3

期号：161

页面范围：106732

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2025-05

发布时间：2025-05-16