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The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H-SiC Devices

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science

第一作者：罗兰

论文编号：1906642867614052353

字数：8

是否译文：否

发表时间：2025-01-01

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