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所属单位：新一代半导体材料研究院

论文名称：Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature

发表刊物：21st China International Forum on Solid State Lighting and 10th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors, SSLCHINA: IFWS 2024

第一作者：王天露

论文编号：1897581192143368193

页面范围：179-183

字数：3

是否译文：否

发表时间：2025-01

发布时间：2025-05-16