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Temperature dependence of dynamic performance of SiC MOSFETs in a half-bridge configuration

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所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）

发表刊物：MICROELECTRONICS JOURNAL

第一作者：王天露

论文编号：1915344292781383681

卷号：160

字数：7

是否译文：否

发表时间：2025-06-01

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