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专利名称：一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法

所属单位：新一代半导体材料研究院

专利类型：发明

申请号：202311623560.8

发明人数：3

是否职务专利：否

申请日期：2023-11-30

公开日期：2024-08-02

授权日期：2024-08-02

发布时间：2024-08-22