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专利名称：测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法

所属单位：新一代半导体材料研究院

专利类型：发明

申请号：202411603552.1

发明人数：5

是否职务专利：否

申请日期：2024-11-12

公开日期：2025-03-07

授权日期：2025-03-07

发布时间：2025-06-12