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    钟宇

    • 副研究员
    • 性别：女
    • 毕业院校：德国拜罗伊特大学
    • 学历：博士研究生毕业
    • 学位：博士生
    • 在职信息：在职
    • 所在单位：新一代半导体材料研究院
    • 入职时间： 2021-01-11
    • 电子邮箱：zhongyu555@hotmail.com

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    测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法

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    所属单位：新一代半导体材料研究院

    专利类型：发明

    申请号：202411603552.1

    发明人数：5

    是否职务专利：否

    申请日期：2024-11-12

    公开日期：2025-03-07

    授权日期：2025-03-07


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