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专利名称：一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法

所属单位：新一代半导体材料研究院

专利类型：发明

申请号：202510857652.5

发明人数：3

是否职务专利：否

申请日期：2025-06-25

公开日期：2025-08-26

授权日期：2025-08-26

发布时间：2025-09-16