Bias-dependent electron velocity and short-channel effect in scaling sub-100 nm InAlN/GaN HFETs
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发表刊物：Applied Physics Letters
全部作者：Mingyan Wang,Heng Zhou,Chao Liu
论文类型：期刊论文
通讯作者：Zhaojun Lin,Yuping Zeng,Peng Cui
是否译文：否
发表时间：2024-04-01
发表时间：2024-04-01