- [1]一种具有阶梯屏蔽环的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法
- [2]一种单片集成续流二极管的垂直型 III 族氮化物晶体管及其制备方法
- [3]一种具有阶梯屏蔽环的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法
- [4]一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法
- [5]一种具有复合终端扩展结构的垂直型功率器件及其制备方法
- [6]一种基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管的器件结构及其制备方法
- [7]一种具有垂直保护环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件结构及其制备方法
- [8]一种基于n型导电SiC衬底的GaN完全垂直型电子器件及其制备方法
- [9]一种氮化镓基垂直型超级结肖特基二极管及其制备方法
- [10]一种具有沟槽隔离层结构的Ⅲ族氮化物垂直型功率半导体器件结构
- [11]一种具有壳核结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法
- [12]一种具有屏蔽环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率器件及其制备方法
- [13]一种深紫外发光二极管及其制备方法
- [14]一种调控深紫外发光二极管有源区内建电场的方法
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