- The Topological Hall Effect in CoGd Films Controlled by Hydrogen Migration under Gate Voltage
- 点击次数：
- 所属单位：物理学院
- 发表刊物：Advanced Electronic Materials
- 第一作者：任雪
- 论文编号：368AFF98D28E49838BFEC7DDA3610BB6
- 卷号：10
- 期号：5
- 页面范围：2300752
- 字数：6
- 是否译文：否
- 发表时间：2024-03-18
助理研究员 硕士生导师
性别：男
毕业院校： 山东大学
学历： 研究生(博士)毕业
学位： 工学博士学位
在职信息： 在职
所在单位： 物理学院
入职时间： 2018-07-16
电子邮箱： chengbin@sdu.edu.cn
邮箱 : chengbin@sdu.edu.cn