课题组研究目标是针对后摩尔时代纳米器件和三维架构非挥发性存储芯片的最新技术节点，结合材料计算、器件制备、架构设计，以及芯片测试等多种交叉研究手段，探索具有高可靠性的新型纳米器件及存储器。近年来，课题组已投入近千万元用于平台硬件建设，已建成高性能材料计算平台、微纳器件电学测量平台、存储芯片测试平台、以及微纳器件加工平台，与中科院微电子所、中科院半导体所、清华大学、北京大学等国内研究单位长期保持良好的合作关系。

●材料器件计算平台

已构建多节点高性能计算集群，包括PWmat第一性原理计算软件，ATK第一性原理计算软件，GTS器件仿真模拟软件，可针对最先进制程的器件结构和材料进行全面的理论计算分析。

●高精度纳米器件可靠性测试平台

搭建了两套探针测试系统，高精度晶圆级器件可靠性测试系统(Cascade Summit 12000B-M半自动探针台, B1500及多种测试模块, 温度-60C~+200C)和标准电学矩阵测试系统（Cascade手动探针台，B2912A, E4980A, 33633, E6250A），可评测先进制程纳米晶体管的多种电学测试性能。

●存储芯片可靠性测试平台

搭建了多种闪存芯片可靠性测试分析平台，包括高性能FPGA测试平台，DERA编程测试系统，高性能闪存课题芯片测试平台，以及变温测试系统，可针对最先进制程闪存芯片的可靠性特性进行系统测试分析。

●微纳器件加工平台

可实现纳米级存储器件单元及阵列的工艺制备，包括ALD原子层沉积系统、多靶磁控溅射系统、高真空热蒸发台、电喷印图形系统、高温热氧化炉、RTP快速热退火炉等工艺设备。