Improved On/Off Current Ratio and Linearity of InAlN/GaN HEMTs with N2O Surface Treatment for Radio Frequency Application

发布时间：2021-11-27

• 发表刊物：
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
• 第一作者：
  Peng Cui
• 通讯作者：
  Yuping Zeng
• 全部作者：
  Tzu-Yi Yang,Jie Zhang,Yu-Lun Chueh
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  10
• 页面范围：
  065013
• DOI码：
  10.1149/2162-8777/ac08dc
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2021-06
• 收录刊物：
  SCI