论文成果
Effect of Device Scaling on Electron Mobility in Nanoscale GaN HEMTs with Polarization Charge Modulation
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物:
    Nanomaterials
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 论文编号:
    94EFCD5D27CD41A5B6B31827FE9E2A2F
  • 期号:
    12
  • 页面范围:
    1718
  • 字数:
    3000
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2022-05-18

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