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论文成果
Sub-60 mV/decade Switching via Hot Electron Transfer in Nanoscale GaN HEMTs
  • 发表刊物：
    IEEE Electron Device Letters
  • 全部作者：
    Guangyang Lin,Jie Zhang
  • 第一作者：
    Peng Cui
  • 论文类型：
    期刊论文
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    41
  • 页面范围：
    1185
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2020-08-01
  • 收录刊物：
    SCI

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