论文成果
Sub-60 mV/decade Switching via Hot Electron Transfer in Nanoscale GaN HEMTs
发布时间:2021-11-27
  • 发表刊物:
    IEEE Electron Device Letters
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 全部作者:
    Guangyang Lin,Jie Zhang
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 卷号:
    41
  • 页面范围:
    1185
  • DOI码:
    10.1109/LED.2020.3003337
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2020-08
  • 收录刊物:
    SCI
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