Sub-60 mV/decade Switching via Hot Electron Transfer in Nanoscale GaN HEMTs
点击次数:
发表刊物:IEEE Electron Device Letters
全部作者:Guangyang Lin,Jie Zhang
第一作者:Peng Cui
论文类型:期刊论文
通讯作者:Yuping Zeng
卷号:41
页面范围:1185
是否译文:否
发表时间:2020-08-01
收录刊物:SCI
发表时间:2020-08-01