RF simulation of self-aligned T-shape S/D contact InAs MOSFET on silicon
点击次数:
发表刊物:Solid-State Electronics
全部作者:Peng Cui,Sourabh Khandelwal
第一作者:Qi Cheng
论文类型:期刊论文
通讯作者:Yuping Zeng
卷号:172
页面范围:107885
是否译文:否
发表时间:2020-09-01
收录刊物:SCI
发表时间:2020-09-01