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论文成果
RF simulation of self-aligned T-shape S/D contact InAs MOSFET on silicon
  • 发表刊物：
    Solid-State Electronics
  • 全部作者：
    Peng Cui,Sourabh Khandelwal
  • 第一作者：
    Qi Cheng
  • 论文类型：
    期刊论文
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    172
  • 页面范围：
    107885
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2020-09-01
  • 收录刊物：
    SCI

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