论文成果
RF simulation of self-aligned T-shape S/D contact InAs MOSFET on silicon
发布时间:2021-11-29
  • 发表刊物:
    Solid-State Electronics
  • 第一作者:
    Qi Cheng
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 全部作者:
    Peng Cui,Sourabh Khandelwal
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 卷号:
    172
  • 页面范围:
    107885
  • DOI码:
    10.1016/j.sse.2020.107885
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2020-09
  • 收录刊物:
    SCI
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