InAlN/GaN MISHEMT with plasma enhanced atomic layer-deposited ZrO2 as gate dielectric
发布时间：2021-11-27
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发表刊物：
Japanese Journal of Applied Physics
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第一作者：
Peng Cui
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通讯作者：
Yuping Zeng
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全部作者：
Jie Zhang,Meng Jia,Guangyang Lin,Lincheng Wei,Haochen Zhao
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卷号：
59
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期号：
2
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页面范围：
020901
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DOI码：
10.35848/1347-4065/ab67de
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是否译文：
否
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发表时间：
2020-01
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收录刊物：
SCI
