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论文成果
InAlN/GaN MISHEMT with plasma enhanced atomic layer-deposited ZrO2 as gate dielectric
  • 发表刊物：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 全部作者：
    Jie Zhang,Meng Jia,Guangyang Lin,Lincheng Wei,Haochen Zhao
  • 第一作者：
    Peng Cui
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    59
  • 期号：
    2
  • 页面范围：
    020901
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2020-01-01
  • 收录刊物：
    SCI

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