论文成果
Enhancement-/Depletion-Mode TiO2 Thin-Film Transistors via O2/N2 Preannealing
  • 发表刊物:
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 全部作者:
    Guangyang Lin,Peng Cui,Meng Jia,Zhengxin Li,Lars Gundlach
  • 第一作者:
    Jie Zhang
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 卷号:
    67
  • 期号:
    6
  • 页面范围:
    2346
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2020-05-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

下一条:InAlN/GaN MISHEMT with plasma enhanced atomic layer-deposited ZrO2 as gate dielectric

版权所有   ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100 
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室