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论文成果
Performance enhancement of monolayer MoS2 transistors by atomic layer deposition of high-k dielectric assisted by Al2O3 seed layer
  • 发表刊物：
    Journal of Physics D: Applied Physics
  • 全部作者：
    Meng-Qiang Zhao,Meng Jia,Jie Zhang,Peng Cui,Lincheng Wei,Haochen Zhao,AT Charlie Johnson,Lars Gundlach
  • 第一作者：
    Guangyang Lin
  • 论文类型：
    期刊论文
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    53
  • 期号：
    10
  • 页面范围：
    105103
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2019-12-01
  • 收录刊物：
    SCI

上一条：InAlN/GaN MISHEMT with plasma enhanced atomic layer-deposited ZrO2 as gate dielectric

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