Effects of N2O surface treatment on the electrical properties of the InAlN/GaN high electron mobility transistors

发布时间：2021-11-27

• 发表刊物：
  Journal of Physics D: Applied Physics
• 第一作者：
  Peng Cui
• 通讯作者：
  Yuping Zeng
• 全部作者：
  Jie Zhang,Tzu-Yi Yang,Hang Chen,Haochen Zhao,Guangyang Lin,Lincheng Wei,John Q. Xiao,Yu-Lun Chueh
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  53
• 期号：
  6
• 页面范围：
  065103
• DOI码：
  10.1088/1361-6463/ab5728
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2019-12
• 收录刊物：
  SCI