论文成果
Effects of N2O surface treatment on the electrical properties of the InAlN/GaN high electron mobility transistors
  • 发表刊物:
    Journal of Physics D: Applied Physics
  • 全部作者:
    Jie Zhang,Tzu-Yi Yang,Hang Chen,Haochen Zhao,Guangyang Lin,Lincheng Wei,John Q. Xiao,Yu-Lun Chueh
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 卷号:
    53
  • 期号:
    6
  • 页面范围:
    065103
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2019-12-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Performance enhancement of monolayer MoS2 transistors by atomic layer deposition of high-k dielectric assisted by Al2O3 seed layer

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