Effect of Different Gate Lengths on Polarization Coulomb Field Scattering Potential in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Scientific reports
• 第一作者：
  Peng Cui
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Jianghui Mo,Chen Fu,Yuanjie Lv,Huan Liu,Aijie Cheng,Chongbiao Luan,Yang Zhou,Gang Dai
• 卷号：
  8
• 页面范围：
  9036
• DOI码：
  10.1038/s41598-018-27357-6
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2018-06
• 收录刊物：
  SCI