Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Superlattices and Microstructures
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Zhiqun Cheng,Yuanjie Lv,Chen Fu,Peng Cui,Yan Liu
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  120
• 页面范围：
  389
• DOI码：
  10.1016/j.spmi.2018.05.016
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2018-08
• 收录刊物：
  SCI