论文成果
Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Superlattices and Microstructures
  • 全部作者:
    Yan Liu,Peng Cui,Chen Fu,Yuanjie Lv,Zhiqun Cheng
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    120
  • 页面范围:
    389
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2018-08-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Electrical Properties of the 70-nm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs

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