Effect of gate-source spacing on parasitic source access resistance in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Applied physics A-Materials Science & Processing
• 第一作者：
  Peng Cui
• 全部作者：
  Zhaojun Lin,Chen Fu,Yan Liu,Yuanjie Lv
• 卷号：
  123
• 页面范围：
  359
• DOI码：
  10.1007/s00339-018-1777-0
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2018-04
• 收录刊物：
  SCI