论文成果
Improved Linearity with Polarization Coulomb Field Scattering in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
  • 发表刊物:
    Scientific Reports
  • 全部作者:
    Yuanjie Lv,Huan Liu,Aijie Cheng,Chen Fu
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    8
  • 页面范围:
    983
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2018-01-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

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