论文成果
Determination of the strain distribution for the Si3N4 passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Superlattices and Microstructures
  • 全部作者:
    Yan Liu,Peng Cui,Yuanjie Lv,Yang Zhou,Gang Dai,Chongbiao Luan
  • 第一作者:
    Chen Fu
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    111
  • 页面范围:
    806
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2017-11-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Improved Linearity with Polarization Coulomb Field Scattering in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

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