A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
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发表刊物:Superlattices and Microstructures
全部作者:Peng Cui,Yuanjie Lv,Yang Zhou,Gang Dai,Chongbiao Luan,Huan Liu,Aijie Cheng
第一作者:Chen Fu
论文类型:期刊论文
通讯作者:Zhaojun Lin
卷号:113
页面范围:160
是否译文:否
发表时间:2018-01-01
收录刊物:SCI
发表时间:2018-01-01