A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Superlattices and Microstructures
• 第一作者：
  Chen Fu
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Peng Cui,Yuanjie Lv,Yang Zhou,Gang Dai,Chongbiao Luan,Huan Liu,Aijie Cheng
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  113
• 页面范围：
  160
• DOI码：
  10.1016/j.spmi.2017.10.035
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2018-01
• 收录刊物：
  SCI