论文成果
The influence of the PCF scattering on the electrical properties of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs after the Si3N4 surface passivation
发布时间:2021-11-29
  • 发表刊物:
    Applied Physics A
  • 第一作者:
    Chen Fu
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 全部作者:
    Peng Cui,Yuanjie Lv,Yang Zhou,Gang Dai,Chongbiao Luan,Huan Liu,Aijie Cheng
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 卷号:
    124
  • 页面范围:
    299
  • DOI码:
    10.1007/s00339-018-1702-6
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2018-03
  • 收录刊物:
    SCI
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