Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  IEEE Transactions on Electron Devices
• 第一作者：
  Peng Cui
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Chongbiao Luan,Yuanjie Lv,Chen Fu,Yan Liu,Ming Yang,Aijie Cheng,Wei Lin,Huan Liu
• 卷号：
  64
• 期号：
  3
• 页面范围：
  1038
• DOI码：
  10.1109/TED.2017.2654262
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-03
• 收录刊物：
  SCI