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论文成果
Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs
  • 发表刊物：
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 全部作者：
    Huan Liu,Wei Lin,Aijie Cheng,Ming Yang,Yan Liu,Chen Fu,Yuanjie Lv,Chongbiao Luan
  • 第一作者：
    Peng Cui
  • 通讯作者：
    Zhaojun Lin
  • 卷号：
    64
  • 期号：
    3
  • 页面范围：
    1038
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2017-03-01
  • 收录刊物：
    SCI

上一条：Effect of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

下一条：Study of the parasitic source resistance at the different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

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