论文成果
Study of the parasitic source resistance at the different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Chinese Physics B
  • 全部作者:
    Yuanjie Lv,Peng Cui,Chen Fu,Ruilong Han,Yu Huo,Ming Yang
  • 第一作者:
    Yan Liu
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    26
  • 期号:
    9
  • 页面范围:
    097104
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2017-01-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs

下一条:Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

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