Study of the parasitic source resistance at the different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Chinese Physics B
• 第一作者：
  Yan Liu
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Ming Yang,Yu Huo,Ruilong Han,Chen Fu,Peng Cui,Yuanjie Lv
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  26
• 期号：
  9
• 页面范围：
  097104
• DOI码：
  10.1088/1674-1056/26/9/097104
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-01
• 收录刊物：
  SCI